Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Электронные ключи и простейшие схемы формированияИмпульсов
Отличительной особенностью импульсных схем является применение электронных ключей. Ключ – это элемент, который имеет два устойчивых состояния: вкючено, выключено.Через идеально разомкнутый ключ ток не протекает. Напряжение на идеально замкнутом ключе равно нулю. Наиболее близким по параметрам к идеальному ключу есть электромеханический контакт (ключ), который имеет бесконечное сопротивление в разомкнутом состоянии нулевое в замкнутом. Такой ключ приведен на мал5.4.
Рис.3.4. Возможно использовать диодные ключи. При этом схема может иметь вид (мал.3.5).
Рис.3.5. Диодный ключ
Широкое применение в качестве электронных ключей находят транзисторные каскады, в первую очередь каскад с общим эмиттером (ОЭ). Рассмотрим работу такого каскада в ключевом режиме. Рис.3.6. Каскад з СЕ При рассмотрении воспользуемся графическим методом расчета транзисторных цепей
Рис.3.7. Схема для расчета (выходная характеристика).
На рис.3.7. приведена выходная характеристика транзистора, на которой нанесена нагрузочная линия, пересекающая оси координат в точках (Uк=Εк, ίк=0)и(Uк=0, ίк= Εк/Rк). В ключевом режиме транзистор может находиться в двух основных состояниях:
1. Режим отсечки (ключ разомкнут). При этом через транзистор протекает минимальный ток. Это состояние соответствует точке А на диаграмме рис.3.7 iк=Ιкбо=0, напряжение на транзисторе Uк=ЕК Транзистор в режиме отсечки может быть представлен схемой замещения рис 3.8., содержащей только один источник тока Iкбо, включенный между базой и коллектором.
Рис. 3.8. Рис. 3.9
Для того, чтобы транзисторный ключ находился в разомкнутом состоянии, необходимо выполнить условие отсечки: сместить в обратном направлении эмиттерный переход транзистора или для п-р-п транзистора выполнить условие Uб<0 Мощность, теряемая в режиме отсечки на транзисторном ключе, Рк=UкIк мала, так как мал ток. 2. Режим насыщения (ключ замкнут). Минимальное напряжение на транзисторе Uк=Uкэн=0 соответствует точке В на диаграмме рис.3.7. Ток через транзистор ограничен резистором Rк и определяется Iкн=(Eк-Uкэн)/Rк= Eк/Rк. Транзистор в режиме насыщения представлен схемой замещения рис.3.9. Режим насыщения достигается уже при iб=Iбн=Iкн/h21э. Дальнейшее увеличение тока базы не изменяет тока коллектора. Таким образом, условие насыщения транзистора записывается в виде Iб>Iбн=Iкн/h21э где Iкн=Eк/Rн Для надежного насыщения транзистора необходимо, чтобы условие выполнялось при h21э=h21эмин. Величина Sн=iб/Iбн>1 называется коэффициентом насыщения транзистора. Как и в режиме отсечки, мощность, теряемая на транзисторном ключе Рк=iкUк мала, так как мало напряжение. При работе транзисторного ключа переход из закрытого состояния в открытое и обратно происходит скачком, потери мощности при этом, как правило, незначительны. Таким образом, работа транзисторного ключа характеризуется малыми потерями мощности и высоким К.П.Д., что является важным преимуществом таких схем. Рассмотрим возможные варианты создания усилительных каскадов. Одним из наиболее современных вариантов, это построение усилителей на базе операционных усилителей.
|