Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Полевые транзисторы с индуцированным каналомКак и ранее рассмотрим включение полевого транзистора в схему с общим истоком (см рис. 1.7.5.1.). При этом на сток подается положительное напряжение. При отсутствии напряжения на затворе начальный ток сток незначителен, так как он определяется током обратно смещенного электронно-дырочного перехода (те током неосновных носителей).
Рис. 1.7.5.1. При отсутствии напряжения на электродах транзистора в теле полупроводника существуют два электронно-дырочных перехода (см. рис. 1.7.5.2.)
Повышение напряжения на затворе () создает электрическое поле, которое проникает в подложку и приводит вначале к обеднению основными носителями тонкого слоя непосредственно под затвором (в рассматриваемом случае дырками) (см. рис. 1.7.5.3.). При некотором значении напряжения на затворе, получившем название порогового, под затвором возникает слой с определенной концентрацией электронов (инверсный слой). Тем самым образуется канал между истоком и стоком и в цепи стока начинает протекать ток, обусловленный движением электронов. Дальнейшее увеличение напряжения на затворе () приводит как к увеличению поперечного сечения канала, так и концентрации электронов в нем и, следовательно, тока стока. Ток затвора очень мал, так как он определяется током утечки через диэлектрик. Подача положительного напряжения на сток вызывает протекание тока стока, а также изменение конфигурации электронно-дырочного перехода (см. рис. 1.7.5.4.).
При некотором напряжении на стоке (Uсинас ) происходит практически полное перекрытие сечения индуцированного канала и ток стока далее не возрастает (см. рис. 1.7.5.5.). Выходные статические характеристики транзистора с индуцированным каналам аналогичны характеристикам транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Статические характеристики передачи полевых транзисторов с индуцированным каналом начинаются со значения .
Рис. 1.7.5.6. а) Выходные статические характеристики полевого транзистора с индуцированным каналам. б) Статические характеристики передачи полевых транзисторов с индуцированным каналом
|