Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Порядок выполнения работы. 5.1.1 Вызовите пакет анализа электронных схем Electronics Workbench (EWB)5.1 Подготовка к работе 5.1.1 Вызовите пакет анализа электронных схем Electronics Workbench (EWB). Составьте схему для исследования полевого транзистора (рис. 16). Тип транзистора выберите из таблицы 10 согласно номеру рабочего места в лаборатории.
После выбора транзистора нажмите кнопку «Edit» и выпишите значение напряжения отсечки U ЗИ.отс, параметр (VTO). Установка напряжения источников V1, V2 подробно описаны в предыдущих работах. 5.1.2 Заготовить данные для первой строки таблицы 8. Для этого значение напряжения отсечки U ЗИ.отс поделить на восемь. Полученные значения округлить до сотых долей вольта кратных пяти, если напряжение отсечки менее двух вольт. Полученные значения напряжений внесите в первую строку таблицы 8. 5.1.3 Установите напряжение сток-исток U СИ = 25 В (V 2) и напряжение затвор-исток U ЗИ = 0 В (V1 = 0 B). Включите процесс моделирования нажатием клавиши «O/I» в правом верхнем углу окна программы. Убедитесь, что на электродах транзистора имеется напряжение и течет ток стока. Если амперметр М2 показывает ток со знаком минус, то следует выключить амперметр из цепи, развернуть его на 1800 и снова включить в схему. 5.2 Проведение измерений 5.2.1 Снимите передаточную характеристику I С = f (U ЗИ) рисунок 15. Уменьшите напряжение сток-исток до U СИ = 5 В. Повторите измерения.
5.2.2 Измерьте ток затвора транзистора I З (M1) при напряжении затвор-исток, равном напряжению отсечки U ЗИ.отс. Рассчитайте входное статическое сопротивление транзистора R ЗИ = U ЗИ.отс / I З. Табл. 8. Результаты измерений.
5.2.3 Снимите семейство выходных статических характеристик транзистора I С = f (U СИ) при четырех значениях напряжения затвор-исток U ЗИ. Одно значение равно нулю, а остальные три выбрать из ближайших к значению U ЗИ.отс/4, имеющихся в таблице 8. Для получения характеристики устанавливается напряжение V 1 = 0 Далее устанавливается напряжение V 1 равным U ЗИ.отс/4 и повторяется измерение. Проделать аналогичное измерение еще для двух значений напряжения на затворе. 5.2.4 Установить температуру транзистора 570С и снять одну характеристику для режима U ЗИ.отс/4. Для установки температуры выбрать опцию Analysis options меню Analysis. В открывшемся окне выделить вкладку Global и установить значение переменной в окне Simulation temperature (TEMP) равное 57 degrees C (57ºС). Табл. 9. Результаты измерений.
|